華泰證券認(rèn)為，碳化硅(SiC)作為第三代化合物半導(dǎo)體材料，具備禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、臨界擊穿場強(qiáng)高等特點，SiC器件較傳統(tǒng)硅基器件可具備耐高壓、低損耗和高頻三大優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于新能源車、光伏/風(fēng)電、工控、射頻等領(lǐng)域。由于技術(shù)遷移成本高、價格高企、產(chǎn)能緊張等因素，我們認(rèn)為碳化硅仍處于滲透早期，當(dāng)前主要應(yīng)用于中高端新能源車、充電樁及基站射頻等領(lǐng)域，我們預(yù)計全球SiC器件市場規(guī)模2025年將達(dá)59.79億美元，較2020年翻5倍。
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